IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 93.21 грн |
| 3000+ | 80.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.
Інші пропозиції IPB120P04P404ATMA2 за ціною від 91.32 грн до 327.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB120P04P404ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPB120P04P404ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPB120P04P404ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 132.18 грн |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 134.00 грн |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 241.76 грн |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.63 грн |
| 10+ | 169.45 грн |
| 50+ | 130.92 грн |
| 100+ | 111.22 грн |
| 500+ | 91.32 грн |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 327.02 грн |
| 10+ | 223.67 грн |
| 100+ | 160.75 грн |
| 500+ | 142.85 грн |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 327.58 грн |
| 64+ | 224.05 грн |
| 100+ | 161.02 грн |
| 500+ | 143.09 грн |
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB120P04P404ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)