Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120P04P404ATMA2
IPB120P04P404ATMA2

IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+91.26 грн
3000+79.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IPB120P04P404ATMA2 за ціною від 89.41 грн до 28500.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.90 грн
50+128.19 грн
100+108.89 грн
500+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.80 грн
10+225.39 грн
100+161.92 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.80 грн
63+225.39 грн
100+161.92 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28500.66 грн
2000+28025.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120P04P4_04_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 INFINEON INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 INFINEON INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+132.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.36 грн
10+165.90 грн
50+128.19 грн
100+108.89 грн
500+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+329.80 грн
10+225.39 грн
100+161.92 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+329.80 грн
63+225.39 грн
100+161.92 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 infineonippbi120p04p404dsv0101en.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28500.66 грн
2000+28025.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 Infineon_IPP_B_I120P04P4_04_DS_v01_01_EN.pdf
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 INFN-S-A0001299314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.