IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+93.93 грн
2000+88.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB120P04P4L03ATMA2 за ціною від 89.75 грн до 464.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120p04p4l_03-datasheet-v01_02-en.pdf Power MOSFET Transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120P04P4L_03_DataSheet_v01_02_EN-3362454.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.57 грн
10+165.82 грн
100+116.24 грн
250+114.77 грн
5000+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.78 грн
10+170.13 грн
100+119.19 грн
500+91.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120p04p4l_03-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+464.61 грн
42+296.61 грн
51+240.60 грн
100+217.01 грн
500+177.79 грн
1000+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.