Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120P04P4L03ATMA2
IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+91.95 грн
3000+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB120P04P4L03ATMA2 за ціною від 95.47 грн до 70271.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.53 грн
10+177.22 грн
50+136.93 грн
100+116.32 грн
500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.10 грн
10+234.16 грн
100+167.32 грн
500+148.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+316.10 грн
61+234.16 грн
100+167.32 грн
500+148.00 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70271.17 грн
50+62765.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipp_b_i120p04p4l_03_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.53 грн
10+177.22 грн
50+136.93 грн
100+116.32 грн
500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+316.10 грн
10+234.16 грн
100+167.32 грн
500+148.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+316.10 грн
61+234.16 грн
100+167.32 грн
500+148.00 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70271.17 грн
50+62765.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineon_ipp_b_i120p04p4l_03_datasheet_en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineonippbi120p04p4l03datasheetv0102en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.