Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120P04P4L03ATMA2
IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+91.61 грн
2000+82.44 грн
3000+79.50 грн
5000+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB120P04P4L03ATMA2 за ціною від 89.73 грн до 534.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.79 грн
10+166.55 грн
100+116.49 грн
500+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120p04p4l_03-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+534.99 грн
42+341.53 грн
51+277.05 грн
100+249.88 грн
500+204.71 грн
1000+183.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120P04P4L_03_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.79 грн
10+166.55 грн
100+116.49 грн
500+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 infineon-ipp_b_i120p04p4l_03-datasheet-v01_02-en.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+534.99 грн
42+341.53 грн
51+277.05 грн
100+249.88 грн
500+204.71 грн
1000+183.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon_IPP_B_I120P04P4L_03_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.