IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 91.97 грн |
| 3000+ | 79.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB120P04P4L03ATMA2 за ціною від 90.08 грн до 69649.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPB120P04P4L03ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.12 грн |
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.83 грн |
| 10+ | 167.23 грн |
| 50+ | 129.21 грн |
| 100+ | 109.75 грн |
| 500+ | 90.08 грн |
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 313.31 грн |
| 10+ | 232.09 грн |
| 100+ | 165.84 грн |
| 500+ | 146.69 грн |
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 313.31 грн |
| 61+ | 232.09 грн |
| 100+ | 165.84 грн |
| 500+ | 146.69 грн |
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69649.31 грн |
| 50+ | 62210.21 грн |
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB120P04P4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



