Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB156N22NFDATMA1
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110.

Інші пропозиції IPB156N22NFDATMA1 за ціною від 241.16 грн до 724.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7 Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.25 грн
10+393.46 грн
100+289.03 грн
500+241.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+722.97 грн
10+620.20 грн
25+550.49 грн
100+509.70 грн
500+467.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+724.21 грн
23+621.27 грн
26+551.44 грн
100+510.58 грн
500+468.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN-1274371.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+600.25 грн
10+393.46 грн
100+289.03 грн
500+241.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+722.97 грн
10+620.20 грн
25+550.49 грн
100+509.70 грн
500+467.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+724.21 грн
23+621.27 грн
26+551.44 грн
100+510.58 грн
500+468.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN-1274371.pdf
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 INFN-S-A0003614521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 INFN-S-A0003614521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.