Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB160N04S203ATMA4
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies

Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
на замовлення 424282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+184.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції IPB160N04S203ATMA4 за ціною від 190.51 грн до 502.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
500+222.26 грн
1000+210.50 грн
10000+190.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
500+222.26 грн
1000+210.50 грн
10000+190.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
500+222.26 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.58 грн
10+347.96 грн
100+262.74 грн
500+233.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+502.44 грн
41+348.56 грн
100+263.19 грн
500+234.08 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S2_03_DS_v01_00_en-1731721.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 INFINEON 2354647.pdf Description: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 INFINEON 2354647.pdf Description: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
500+222.26 грн
1000+210.50 грн
10000+190.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
500+222.26 грн
1000+210.50 грн
10000+190.51 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
500+222.26 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+501.58 грн
10+347.96 грн
100+262.74 грн
500+233.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 infineonipb160n04s203dsv0100en.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+502.44 грн
41+348.56 грн
100+263.19 грн
500+234.08 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 Infineon_IPB160N04S2_03_DS_v01_00_en-1731721.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 2354647.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 2354647.pdf
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.