IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+260.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Grade: Automotive, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB160N04S2L03ATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB160N04S2L03ATMA2 Виробник : Infineon Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb160n04s2l-03_green.pdf OptiMOS - T Power-Transistor
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S2L_03_DS_v01_00_en-1534418.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній