Інші пропозиції IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1) за ціною від 79.87 грн до 284.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 8292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPB160N04S4H1ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 8292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 217.11 грн |
| 100+ | 151.20 грн |
| 500+ | 126.00 грн |
| 1000+ | 111.22 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 240.63 грн |
| 10+ | 150.88 грн |
| 50+ | 116.01 грн |
| 100+ | 98.35 грн |
| 500+ | 79.87 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 108.16 грн |
| 3000+ | 98.93 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 109.58 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 109.58 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 109.66 грн |
| 3000+ | 100.30 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 166.19 грн |
| 500+ | 149.69 грн |
| 1000+ | 137.90 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 166.19 грн |
| 500+ | 149.69 грн |
| 1000+ | 137.90 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 284.97 грн |
| 89+ | 160.38 грн |
| 102+ | 139.39 грн |
| 500+ | 115.13 грн |
| 1000+ | 91.65 грн |
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB160N04S4H1ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






