Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)

IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)

Код товару: 166065
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1) за ціною від 63.84 грн до 245.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.66 грн
10+140.36 грн
100+100.60 грн
500+69.84 грн
1000+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.40 грн
10+138.99 грн
100+96.55 грн
500+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4_H1_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.02 грн
10+157.54 грн
100+95.27 грн
500+77.19 грн
1000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Application: automotive industry
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Gate charge: 137nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 167W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.