Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)

IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)

Код товару: 166065
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1) за ціною від 77.49 грн до 285.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.40 грн
3000+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.90 грн
3000+100.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.60 грн
100+151.54 грн
500+126.28 грн
1000+111.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.99 грн
10+146.36 грн
50+112.54 грн
100+95.40 грн
500+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.61 грн
89+160.74 грн
102+139.70 грн
500+115.38 грн
1000+91.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb160n04s4_h1_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON INFNS17518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON INFNS17518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.40 грн
3000+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.90 грн
3000+100.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+217.60 грн
100+151.54 грн
500+126.28 грн
1000+111.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.99 грн
10+146.36 грн
50+112.54 грн
100+95.40 грн
500+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineonipb160n04s4h1dsv0100en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+285.61 грн
89+160.74 грн
102+139.70 грн
500+115.38 грн
1000+91.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 infineon_ipb160n04s4_h1_ds_en.pdf
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 INFNS17518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 INFNS17518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.