Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB160N04S4L-H1

IPB160N04S4L-H1 Infineon Technologies

Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB160N04S4L-H1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 160A, Pulsed drain current: 640A, Power dissipation: 167W, Case: PG-TO263-7-3, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 1.5mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IPB160N04S4L-H1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IPB160N04S4LH1ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Pulsed drain current: 640A Power dissipation: 167W Case: PG-TO263-7-3 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.

IPB160N04S4LH1ATMA1

Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.