Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB160N04S4LH1ATMA1
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB160N04S4LH1ATMA1 за ціною від 69.72 грн до 247.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+150.47 грн
100+104.53 грн
500+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.26 грн
10+158.78 грн
100+96.65 грн
500+80.77 грн
1000+74.56 грн
2000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+129.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+166.56 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 infineonipb160n04s4lh110dsv0100en.pdf
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.98 грн
10+150.47 грн
100+104.53 грн
500+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en.pdf
IPB160N04S4LH1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.26 грн
10+158.78 грн
100+96.65 грн
500+80.77 грн
1000+74.56 грн
2000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.