Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB160N04S4LH1ATMA1
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB160N04S4LH1ATMA1 за ціною від 74.86 грн до 226.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.47 грн
10+132.33 грн
100+98.73 грн
500+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en-1731637.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.04 грн
10+154.45 грн
100+100.55 грн
250+99.81 грн
500+81.46 грн
1000+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 9757ipb160n04s4l-h1-data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 640A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 640A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.