IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 66.98 грн |
| 2000+ | 60.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB17N25S3100ATMA1 за ціною від 59.60 грн до 205.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 107W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2 |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 60906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB17N25S3100ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |