Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+75.63 грн
2000+67.83 грн
3000+65.29 грн
5000+58.59 грн
7000+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції IPB17N25S3100ATMA1 за ціною від 66.04 грн до 231.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.02 грн
10+143.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.40 грн
10+140.57 грн
100+97.27 грн
500+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B17N25S3_100_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.07 грн
10+147.52 грн
100+90.22 грн
500+72.60 грн
1000+66.68 грн
2000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 INFN-S-A0001299728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB17N25S3100ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+222.02 грн
10+143.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPB17N25S3100ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.40 грн
10+140.57 грн
100+97.27 грн
500+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon_IPP_B17N25S3_100_DS_v01_01_EN.pdf
IPB17N25S3100ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.07 грн
10+147.52 грн
100+90.22 грн
500+72.60 грн
1000+66.68 грн
2000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.