IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.81 грн |
| 10+ | 208.97 грн |
| 100+ | 133.16 грн |
| 500+ | 118.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB180N03S4L-01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N03S4L-01 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |