IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.81 грн |
| 5+ | 189.28 грн |
| 10+ | 172.15 грн |
| 25+ | 149.88 грн |
| 50+ | 135.32 грн |
| 100+ | 120.76 грн |
| 250+ | 112.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.1mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 250W, Gate charge: 173nC, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ T2, Drain current: 180A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7.
Інші пропозиції IPB180N04S4H0ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB180N04S4-H0 | Infineon |
на замовлення 353 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB180N04S4-H0 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB180N04S4-H0 |
Виробник: Infineon
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)