IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 173nC
Gate-source voltage: ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.60 грн |
| 8+ | 122.00 грн |
| 22+ | 115.22 грн |
| 250+ | 114.37 грн |
| 500+ | 110.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 180A, Power dissipation: 250W, Case: PG-TO263-7, On-state resistance: 1.1mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 173nC, Gate-source voltage: ±20V.
Інші пропозиції IPB180N04S4H0ATMA1 за ціною від 102.85 грн до 334.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 976 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IPB180N04S4-H0 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 976 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 334.58 грн |
| 10+ | 215.84 грн |
| 100+ | 140.39 грн |
| 500+ | 117.87 грн |
| 1000+ | 102.85 грн |