IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.67 грн |
| 5+ | 183.64 грн |
| 10+ | 165.36 грн |
| 25+ | 142.93 грн |
| 50+ | 127.14 грн |
| 100+ | 113.84 грн |
| 250+ | 108.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 180A, Power dissipation: 250W, Case: PG-TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.1mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 173nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPB180N04S4H0ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB180N04S4-H0 | Infineon |
на замовлення 353 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB180N04S4-H0 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB180N04S4-H0 |
Виробник: Infineon
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)