Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N04S400ATMA1
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+143.39 грн
2000+129.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm.

Інші пропозиції IPB180N04S400ATMA1 за ціною від 127.57 грн до 419.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+206.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+289.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+289.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.39 грн
10+219.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.46 грн
10+252.97 грн
100+179.48 грн
500+139.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB180N04S4_00_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.37 грн
10+270.72 грн
100+175.50 грн
500+146.60 грн
1000+136.74 грн
2000+127.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
180+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+205.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+206.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+289.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 infineonipb180n04s400dsv0101en.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+289.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+331.39 грн
10+219.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+396.46 грн
10+252.97 грн
100+179.48 грн
500+139.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 Infineon_IPB180N04S4_00_DS_v01_01_EN.pdf
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+419.37 грн
10+270.72 грн
100+175.50 грн
500+146.60 грн
1000+136.74 грн
2000+127.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.