Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N04S4H0ATMA1
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
118+120.56 грн
123+115.17 грн
250+110.56 грн
500+102.75 грн
1000+92.04 грн
2500+85.75 грн
5000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції IPB180N04S4H0ATMA1 за ціною від 81.76 грн до 343.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.32 грн
500+101.55 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N04S4H0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.55 грн
5+187.50 грн
10+168.83 грн
25+145.92 грн
50+129.81 грн
100+116.23 грн
250+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.40 грн
10+177.62 грн
100+137.32 грн
500+101.55 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB180N04S4_H0_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.80 грн
10+181.56 грн
100+121.23 грн
500+102.20 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.50 грн
63+226.23 грн
64+224.00 грн
73+187.73 грн
100+160.87 грн
250+152.85 грн
500+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.34 грн
10+217.39 грн
100+152.90 грн
500+117.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+121.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+125.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+137.32 грн
500+101.55 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
218+162.65 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.55 грн
5+187.50 грн
10+168.83 грн
25+145.92 грн
50+129.81 грн
100+116.23 грн
250+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+280.40 грн
10+177.62 грн
100+137.32 грн
500+101.55 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon_IPB180N04S4_H0_DS_v01_00_en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+287.80 грн
10+181.56 грн
100+121.23 грн
500+102.20 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 infineonipb180n04s4h0dsv0100en.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+319.50 грн
63+226.23 грн
64+224.00 грн
73+187.73 грн
100+160.87 грн
250+152.85 грн
500+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+343.34 грн
10+217.39 грн
100+152.90 грн
500+117.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.