IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Інші пропозиції IPB180N04S4H0ATMA1 за ціною від 105.49 грн до 353.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB180N04S4H0ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 250W Gate charge: 173nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ T2 Drain current: 180A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 |
на замовлення 910 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPB180N04S4H0ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 10333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 10333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 139.96 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 140.46 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 148.22 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 148.22 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 162.65 грн |
| 500+ | 154.40 грн |
| 1000+ | 144.97 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 162.65 грн |
| 500+ | 154.40 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 162.65 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 162.65 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.55 грн |
| 5+ | 187.50 грн |
| 10+ | 170.53 грн |
| 25+ | 148.47 грн |
| 50+ | 134.05 грн |
| 100+ | 119.62 грн |
| 250+ | 111.14 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.52 грн |
| 10+ | 189.97 грн |
| 50+ | 147.31 грн |
| 100+ | 125.37 грн |
| 500+ | 105.49 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 353.11 грн |
| 10+ | 232.04 грн |
| 100+ | 183.42 грн |
| 500+ | 144.63 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 353.11 грн |
| 61+ | 232.04 грн |
| 100+ | 183.42 грн |
| 500+ | 144.63 грн |
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB180N04S4H0ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)