Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N06S4H1ATMA2
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies

ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+144.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB180N06S4H1ATMA2 за ціною від 103.19 грн до 335.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+148.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+154.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.79 грн
10+196.67 грн
100+139.45 грн
500+121.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB180N06S4_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.32 грн
10+211.51 грн
100+143.91 грн
500+127.76 грн
1000+109.51 грн
2000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+329.20 грн
58+225.24 грн
100+206.18 грн
200+179.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.79 грн
10+202.29 грн
100+164.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.