Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N06S4H1ATMA2
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Інші пропозиції IPB180N06S4H1ATMA2 за ціною від 131.39 грн до 509.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+180.41 грн
3000+171.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.91 грн
3000+173.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.62 грн
500+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.71 грн
10+223.09 грн
50+174.43 грн
100+149.00 грн
500+131.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.35 грн
51+279.98 грн
100+200.64 грн
500+184.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+428.57 грн
48+296.29 грн
56+253.75 грн
100+200.95 грн
500+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.99 грн
10+338.43 грн
50+264.65 грн
100+232.30 грн
500+189.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON 1859075.pdf Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON 1859075.pdf Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+180.41 грн
3000+171.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+182.91 грн
3000+173.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+212.62 грн
500+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.71 грн
10+223.09 грн
50+174.43 грн
100+149.00 грн
500+131.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+402.35 грн
51+279.98 грн
100+200.64 грн
500+184.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+428.57 грн
48+296.29 грн
56+253.75 грн
100+200.95 грн
500+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 infineonipb180n06s4dsv0100en.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+509.99 грн
10+338.43 грн
50+264.65 грн
100+232.30 грн
500+189.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 1859075.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 1859075.pdf
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.