Продукція > INFINEON > IPB180N08S402ATMA1
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0001304884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+245.10 грн
1000+210.04 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N08S402ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 277W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

Інші пропозиції IPB180N08S402ATMA1 за ціною від 194.53 грн до 566.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
500+300.55 грн
1000+284.05 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
500+300.55 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.05 грн
500+300.55 грн
1000+284.05 грн
10000+256.86 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB180N08S4_02_DataSheet_v01_10_EN-3168011.pdf MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.57 грн
10+365.56 грн
25+299.55 грн
100+257.26 грн
250+242.46 грн
500+229.07 грн
1000+194.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001304884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.26 грн
10+304.25 грн
100+284.51 грн
500+245.10 грн
1000+210.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+561.79 грн
36+394.01 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies IPB180N08S4-02-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d701b54019c Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.15 грн
10+367.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
112+317.05 грн
500+300.55 грн
1000+284.05 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
112+317.05 грн
500+300.55 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
112+317.05 грн
500+300.55 грн
1000+284.05 грн
10000+256.86 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 Infineon_IPB180N08S4_02_DataSheet_v01_10_EN-3168011.pdf
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+441.57 грн
10+365.56 грн
25+299.55 грн
100+257.26 грн
250+242.46 грн
500+229.07 грн
1000+194.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 INFN-S-A0001304884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+452.26 грн
10+304.25 грн
100+284.51 грн
500+245.10 грн
1000+210.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 infineon-ipb180n08s4-02-datasheet-v01_11-en.pdf
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+561.79 грн
36+394.01 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S4-02-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d701b54019c
IPB180N08S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+566.15 грн
10+367.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.