IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+166.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB180N10S402ATMA1 за ціною від 150.23 грн до 491.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+203.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+217.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+225.22 грн
500+168.07 грн
1000+154.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+263.14 грн
500+249.07 грн
1000+236.07 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+305.70 грн
36000+280.69 грн
54000+262.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+365.63 грн
38+349.92 грн
50+336.59 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+388.21 грн
10+291.56 грн
100+237.51 грн
500+196.97 грн
1000+150.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180N10S4-02-DataSheet-v01_10-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.97 грн
10+288.21 грн
100+190.94 грн
500+180.41 грн
1000+153.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.52 грн
10+272.56 грн
100+196.82 грн
500+183.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+491.20 грн
50+347.39 грн
100+340.46 грн
200+258.13 грн
500+224.32 грн
1000+199.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.