Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N10S402ATMA1
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+238.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

Інші пропозиції IPB180N10S402ATMA1 за ціною від 200.29 грн до 680.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+241.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+258.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
10000+232.99 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.11 грн
10+296.49 грн
50+234.14 грн
100+200.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+572.63 грн
36+393.62 грн
50+375.74 грн
100+257.80 грн
250+245.00 грн
500+218.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.45 грн
36+398.96 грн
37+388.18 грн
50+333.11 грн
100+259.79 грн
250+248.32 грн
500+200.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+589.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.41 грн
10+456.22 грн
50+360.29 грн
100+317.65 грн
500+257.98 грн
1000+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Infineon Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+241.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+258.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+286.41 грн
500+271.08 грн
1000+256.94 грн
10000+232.99 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.11 грн
10+296.49 грн
50+234.14 грн
100+200.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+572.63 грн
36+393.62 грн
50+375.74 грн
100+257.80 грн
250+245.00 грн
500+218.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+574.45 грн
36+398.96 грн
37+388.18 грн
50+333.11 грн
100+259.79 грн
250+248.32 грн
500+200.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+589.54 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 infineonipb180n10s402datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+680.41 грн
10+456.22 грн
50+360.29 грн
100+317.65 грн
500+257.98 грн
1000+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 4129357.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 4129357.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.