Продукція > INFINEON > IPB180N10S403ATMA1
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0000247697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+171.04 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N10S403ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції IPB180N10S403ATMA1 за ціною від 171.04 грн до 532.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s403datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.12 грн
500+275.80 грн
1000+260.48 грн
10000+236.40 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB180N10S4_03_DataSheet_v01_10_EN-3362476.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.57 грн
10+335.57 грн
25+283.34 грн
100+236.12 грн
250+229.07 грн
500+221.32 грн
1000+179.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000247697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.90 грн
10+288.63 грн
100+208.86 грн
500+171.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipb180n10s403datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+526.19 грн
39+368.08 грн
100+271.32 грн
500+220.48 грн
1000+202.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies IPB180N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c3417b40af7 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.06 грн
10+343.83 грн
100+248.42 грн
500+194.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 infineonipb180n10s403datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
122+291.12 грн
500+275.80 грн
1000+260.48 грн
10000+236.40 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 Infineon_IPB180N10S4_03_DataSheet_v01_10_EN-3362476.pdf
IPB180N10S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+404.57 грн
10+335.57 грн
25+283.34 грн
100+236.12 грн
250+229.07 грн
500+221.32 грн
1000+179.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 INFN-S-A0000247697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N10S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+416.90 грн
10+288.63 грн
100+208.86 грн
500+171.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 infineonipb180n10s403datasheetv0110en.pdf
IPB180N10S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+526.19 грн
39+368.08 грн
100+271.32 грн
500+220.48 грн
1000+202.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c3417b40af7
IPB180N10S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+532.06 грн
10+343.83 грн
100+248.42 грн
500+194.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.