Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180P04P403ATMA2
IPB180P04P403ATMA2

IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPB180P04P403ATMA2 за ціною від 88.81 грн до 366.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 INFINEON 2820327.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.61 грн
500+103.84 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 INFINEON 2820327.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+191.60 грн
100+140.61 грн
500+103.84 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.51 грн
10+219.29 грн
100+154.32 грн
500+118.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.65 грн
10+225.33 грн
100+145.90 грн
500+121.93 грн
1000+113.48 грн
2000+106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p403dsen.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+366.72 грн
59+240.35 грн
100+180.85 грн
500+161.89 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 2820327.pdf
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+140.61 грн
500+103.84 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 2820327.pdf
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+191.60 грн
100+140.61 грн
500+103.84 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+346.51 грн
10+219.29 грн
100+154.32 грн
500+118.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.65 грн
10+225.33 грн
100+145.90 грн
500+121.93 грн
1000+113.48 грн
2000+106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 infineonipb180p04p403dsen.pdf
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+366.72 грн
59+240.35 грн
100+180.85 грн
500+161.89 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.