IPB180P04P4L02ATMA1
Код товару: 130964
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA1 за ціною від 125.21 грн до 434.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 28654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2 |
на замовлення 41716 шт: термін постачання 431-440 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |