Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180P04P4L02ATMA1
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA1 за ціною від 120.27 грн до 484.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+141.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+153.38 грн
500+145.09 грн
1000+137.83 грн
10000+124.92 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+153.38 грн
500+145.09 грн
1000+137.83 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+153.38 грн
500+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+153.38 грн
500+145.09 грн
1000+137.83 грн
10000+124.92 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+215.11 грн
200+175.48 грн
500+141.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+343.24 грн
56+225.51 грн
200+221.36 грн
500+199.87 грн
1000+181.36 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.03 грн
10+240.36 грн
50+215.11 грн
200+175.48 грн
500+141.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN-1731628.pdf MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 41716 шт:
термін постачання 431-440 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.56 грн
10+429.43 грн
100+305.87 грн
500+260.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1
Код товару: 130964
Додати до обраних Обраний товар

IPB180P04P4L-02_Rev1.4_7-4-19.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB180P04P4L-02_Rev1.4_7-4-19.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB180P04P4L-02_Rev1.4_7-4-19.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.