
IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 123.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA1 за ціною від 128.74 грн до 459.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41716 шт: термін постачання 431-440 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPB180P04P4L02ATMA1 Код товару: 130964
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
IPB180P04P4L02ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |