Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180P04P4L02ATMA2
IPB180P04P4L02ATMA2

IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+112.29 грн
3000+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA2 за ціною від 103.12 грн до 79201.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+168.48 грн
500+158.99 грн
1000+150.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+168.48 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+220.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.27 грн
10+189.77 грн
50+147.32 грн
100+125.43 грн
500+106.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipb180p04p4l_02_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+335.31 грн
10+173.25 грн
100+136.76 грн
500+109.70 грн
1000+103.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.59 грн
10+248.60 грн
100+180.25 грн
500+144.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+364.59 грн
58+248.60 грн
100+180.25 грн
500+144.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+387.94 грн
10+262.03 грн
100+189.01 грн
500+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.94 грн
55+262.03 грн
100+189.01 грн
500+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79201.25 грн
50+69080.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+161.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+168.48 грн
500+158.99 грн
1000+150.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+168.48 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+220.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.27 грн
10+189.77 грн
50+147.32 грн
100+125.43 грн
500+106.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineon_ipb180p04p4l_02_datasheet_en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.31 грн
10+173.25 грн
100+136.76 грн
500+109.70 грн
1000+103.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+364.59 грн
10+248.60 грн
100+180.25 грн
500+144.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+364.59 грн
58+248.60 грн
100+180.25 грн
500+144.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+387.94 грн
10+262.03 грн
100+189.01 грн
500+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+387.94 грн
55+262.03 грн
100+189.01 грн
500+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+79201.25 грн
50+69080.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.