Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180P04P4L02ATMA2
IPB180P04P4L02ATMA2

IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+104.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA2 за ціною від 104.95 грн до 287.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+107.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+114.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+118.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Power MOSFET Transistor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+192.31 грн
66+186.63 грн
100+157.42 грн
500+151.01 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.52 грн
10+170.02 грн
100+128.89 грн
500+114.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.46 грн
10+202.53 грн
50+197.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB180P04P4L_02_DataSheet_v01_04_EN-3362376.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.69 грн
10+211.84 грн
25+178.34 грн
100+131.37 грн
500+108.62 грн
1000+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB180P04P4L02.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB180P04P4L02.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.