Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180P04P4L02ATMA2
IPB180P04P4L02ATMA2

IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+108.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA2 за ціною від 97.39 грн до 376.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.14 грн
2000+111.97 грн
3000+108.11 грн
5000+97.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.12 грн
2000+144.71 грн
3000+143.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.90 грн
2000+145.48 грн
3000+144.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
10000+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.39 грн
200+129.81 грн
500+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON 2876642.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.76 грн
10+199.00 грн
50+169.39 грн
200+129.81 грн
500+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.27 грн
10+222.35 грн
100+156.62 грн
500+120.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB180P04P4L_02_DataSheet_v01_04_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.23 грн
10+229.39 грн
100+148.72 грн
500+124.05 грн
1000+114.89 грн
2000+108.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.59 грн
55+258.54 грн
100+187.52 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+108.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+124.14 грн
2000+111.97 грн
3000+108.11 грн
5000+97.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+146.12 грн
2000+144.71 грн
3000+143.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+146.90 грн
2000+145.48 грн
3000+144.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
212+167.36 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
10000+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+169.39 грн
200+129.81 грн
500+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 2876642.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+315.76 грн
10+199.00 грн
50+169.39 грн
200+129.81 грн
500+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+351.27 грн
10+222.35 грн
100+156.62 грн
500+120.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon_IPB180P04P4L_02_DataSheet_v01_04_EN.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+355.23 грн
10+229.39 грн
100+148.72 грн
500+124.05 грн
1000+114.89 грн
2000+108.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 infineonipb180p04p4l02datasheetv0104en.pdf
IPB180P04P4L02ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+376.59 грн
55+258.54 грн
100+187.52 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.