Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB200N15N3GATMA1
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB200N15N3GATMA1 за ціною від 87.87 грн до 299.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.94 грн
10+164.11 грн
100+114.73 грн
500+87.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.60 грн
10+205.47 грн
100+147.17 грн
500+116.41 грн
1000+99.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+299.60 грн
69+205.47 грн
100+147.17 грн
500+116.41 грн
1000+99.48 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GATMA1 INFINEON IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPB200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPB200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.94 грн
10+164.11 грн
100+114.73 грн
500+87.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPB200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+299.60 грн
10+205.47 грн
100+147.17 грн
500+116.41 грн
1000+99.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPB200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+299.60 грн
69+205.47 грн
100+147.17 грн
500+116.41 грн
1000+99.48 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPB200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.