Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB200N25N3GATMA1
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+230.19 грн
3000+221.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції IPB200N25N3GATMA1 за ціною від 234.23 грн до 760.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 16342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.26 грн
10+361.18 грн
50+287.56 грн
100+247.64 грн
500+239.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I_200N25N3_G_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+602.60 грн
10+321.17 грн
100+256.00 грн
500+247.74 грн
1000+234.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.44 грн
10+462.32 грн
50+401.57 грн
100+350.53 грн
500+312.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+653.24 грн
32+463.61 грн
50+402.69 грн
100+351.49 грн
500+313.70 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+751.97 грн
10+507.24 грн
50+433.90 грн
100+374.96 грн
500+333.58 грн
1000+300.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+760.07 грн
29+512.71 грн
50+438.58 грн
100+379.00 грн
500+337.19 грн
1000+303.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 12235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 16342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.26 грн
10+361.18 грн
50+287.56 грн
100+247.64 грн
500+239.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 Infineon_IPP_B_I_200N25N3_G_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+602.60 грн
10+321.17 грн
100+256.00 грн
500+247.74 грн
1000+234.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+651.44 грн
10+462.32 грн
50+401.57 грн
100+350.53 грн
500+312.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+653.24 грн
32+463.61 грн
50+402.69 грн
100+351.49 грн
500+313.70 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+751.97 грн
10+507.24 грн
50+433.90 грн
100+374.96 грн
500+333.58 грн
1000+300.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+760.07 грн
29+512.71 грн
50+438.58 грн
100+379.00 грн
500+337.19 грн
1000+303.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 12235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.