Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB200N25N3GATMA1
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+203.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції IPB200N25N3GATMA1 за ціною від 239.85 грн до 486.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+298.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+298.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.97 грн
10+317.51 грн
25+313.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+360.97 грн
45+313.48 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+384.01 грн
100+365.27 грн
500+345.37 грн
1000+314.97 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+411.51 грн
36+393.83 грн
50+378.83 грн
100+352.91 грн
250+316.86 грн
500+295.90 грн
1000+288.66 грн
2500+282.30 грн
5000+276.67 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.16 грн
10+351.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+441.56 грн
40+351.75 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.47 грн
10+317.09 грн
100+239.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I_200N25N3_G_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+298.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+298.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+360.97 грн
10+317.51 грн
25+313.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+360.97 грн
45+313.48 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+384.01 грн
100+365.27 грн
500+345.37 грн
1000+314.97 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+385.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+411.51 грн
36+393.83 грн
50+378.83 грн
100+352.91 грн
250+316.86 грн
500+295.90 грн
1000+288.66 грн
2500+282.30 грн
5000+276.67 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+441.16 грн
10+351.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+441.56 грн
40+351.75 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.47 грн
10+317.09 грн
100+239.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 Infineon_IPP_B_I_200N25N3_G_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB200N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.