Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB200N25N3GATMA1
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+237.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB200N25N3GATMA1 за ціною від 214.56 грн до 590.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+282.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+307.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+334.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.15 грн
10+329.27 грн
25+293.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+410.00 грн
50+312.85 грн
200+286.68 грн
500+260.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+422.96 грн
50+413.83 грн
200+398.08 грн
500+334.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+432.01 грн
35+354.60 грн
39+315.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+540.76 грн
10+383.05 грн
100+290.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 Description: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.17 грн
10+358.77 грн
100+262.08 грн
500+214.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I_200N25N3_G_DataSheet_v02_05_EN-3362602.pdf MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.55 грн
10+393.30 грн
100+253.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+587.23 грн
30+415.98 грн
100+315.04 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB200N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+590.30 грн
5+505.50 грн
10+419.88 грн
50+343.26 грн
100+273.80 грн
250+268.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPB200N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.