IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 82.94 грн |
| 2000+ | 78.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB320N20N3GATMA1 за ціною від 68.81 грн до 260.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 412000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: 100 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 200V 34A, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IPB320N20N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A On-state resistance: 32mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 136W Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TO263-3 Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |