Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB320N20N3GATMA1
IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+94.50 грн
2000+85.07 грн
3000+82.05 грн
5000+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Інші пропозиції IPB320N20N3GATMA1 за ціною від 86.63 грн до 340.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.95 грн
2000+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.64 грн
2000+125.37 грн
3000+124.12 грн
5000+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.83 грн
2000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.83 грн
2000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.24 грн
2000+126.96 грн
3000+125.68 грн
5000+119.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.58 грн
108000+145.82 грн
162000+135.68 грн
216000+123.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.74 грн
82+173.88 грн
100+159.70 грн
200+143.98 грн
500+123.19 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.70 грн
59+241.92 грн
100+192.78 грн
500+184.07 грн
1000+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
10+171.49 грн
100+120.03 грн
500+92.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.16 грн
10+235.19 грн
100+169.32 грн
500+135.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.49 грн
60+236.82 грн
100+170.49 грн
500+136.08 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON INFNS17045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I_320N20N3G-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+118.95 грн
2000+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.64 грн
2000+125.37 грн
3000+124.12 грн
5000+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.83 грн
2000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.83 грн
2000+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+128.24 грн
2000+126.96 грн
3000+125.68 грн
5000+119.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+149.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+159.58 грн
108000+145.82 грн
162000+135.68 грн
216000+123.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+227.74 грн
82+173.88 грн
100+159.70 грн
200+143.98 грн
500+123.19 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+245.70 грн
59+241.92 грн
100+192.78 грн
500+184.07 грн
1000+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.60 грн
10+171.49 грн
100+120.03 грн
500+92.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+338.16 грн
10+235.19 грн
100+169.32 грн
500+135.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+340.49 грн
60+236.82 грн
100+170.49 грн
500+136.08 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 INFNS17045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 Infineon-IPP_B_I_320N20N3G-DS-v02_03-en.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.