Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB320N20N3GATMA1
IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Інші пропозиції IPB320N20N3GATMA1 за ціною від 86.63 грн до 342.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.48 грн
2000+117.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.20 грн
2000+125.93 грн
3000+124.67 грн
5000+119.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.39 грн
2000+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.39 грн
2000+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.81 грн
2000+127.53 грн
3000+126.24 грн
5000+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.29 грн
108000+146.47 грн
162000+136.29 грн
216000+123.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+228.76 грн
82+174.65 грн
100+160.41 грн
200+144.62 грн
500+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.79 грн
59+243.00 грн
100+193.64 грн
500+184.89 грн
1000+158.48 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.73 грн
10+170.61 грн
50+131.87 грн
100+112.06 грн
500+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+293.51 грн
10+147.18 грн
100+115.55 грн
500+95.80 грн
1000+89.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.66 грн
10+236.24 грн
100+170.07 грн
500+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+342.01 грн
60+237.87 грн
100+171.25 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON INFNS17045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+119.48 грн
2000+117.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+127.20 грн
2000+125.93 грн
3000+124.67 грн
5000+119.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+127.39 грн
2000+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+127.39 грн
2000+126.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+128.81 грн
2000+127.53 грн
3000+126.24 грн
5000+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 412000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+150.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+160.29 грн
108000+146.47 грн
162000+136.29 грн
216000+123.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+228.76 грн
82+174.65 грн
100+160.41 грн
200+144.62 грн
500+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.79 грн
59+243.00 грн
100+193.64 грн
500+184.89 грн
1000+158.48 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.73 грн
10+170.61 грн
50+131.87 грн
100+112.06 грн
500+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.51 грн
10+147.18 грн
100+115.55 грн
500+95.80 грн
1000+89.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+339.66 грн
10+236.24 грн
100+170.07 грн
500+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+342.01 грн
60+237.87 грн
100+171.25 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 INFNS17045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 infineon-ipp-b-i-320n20n3g-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.