Продукція > INFINEON > IPB330P10NMATMA1

IPB330P10NMATMA1 INFINEON

Name: IPB330P10NMATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 11803550-6
Price: 84690 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	169.38 грн
1000+	154.90 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB330P10NMATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB330P10NMATMA1 за ціною від 124.21 грн до 356.37 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	210.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
139+	220.63 грн
500+	211.48 грн
1000+	199.28 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
56+	221.00 грн
65+	187.73 грн
100+	157.03 грн
250+	142.13 грн
500+	129.33 грн
1000+	127.45 грн
3000+	126.68 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22

Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	233.71 грн
10+	175.26 грн
100+	152.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	236.79 грн
10+	203.15 грн
25+	201.14 грн
100+	168.24 грн
250+	152.28 грн
500+	138.57 грн
1000+	136.55 грн
3000+	135.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	247.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942457.pdf

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	252.06 грн
10+	193.92 грн
100+	146.79 грн
500+	145.29 грн
1000+	124.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
49+	253.17 грн
50+	246.05 грн
200+	245.04 грн
500+	235.30 грн
1000+	192.46 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	356.37 грн
10+	249.12 грн
100+	184.10 грн
500+	169.38 грн
1000+	154.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

SP005343858

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	131.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	164.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB330P10NMATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.