Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB330P10NMATMA1
IPB330P10NMATMA1

IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+134.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm.

Інші пропозиції IPB330P10NMATMA1 за ціною від 128.28 грн до 381.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.92 грн
10+235.41 грн
100+167.80 грн
500+139.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.55 грн
10+250.46 грн
100+155.06 грн
500+137.44 грн
1000+128.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 INFINEON 3624245.pdf Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.55 грн
10+254.09 грн
100+180.91 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
IPB330P10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+367.92 грн
10+235.41 грн
100+167.80 грн
500+139.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB330P10NMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+381.55 грн
10+250.46 грн
100+155.06 грн
500+137.44 грн
1000+128.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 3624245.pdf
IPB330P10NMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+381.55 грн
10+254.09 грн
100+180.91 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.