IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 158.60 грн |
| 10+ | 156.33 грн |
| 25+ | 143.70 грн |
| 100+ | 137.20 грн |
| 250+ | 125.78 грн |
| 500+ | 119.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPB339N20NM6ATMA1 за ціною від 107.48 грн до 245.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB339N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 161.33 грн |
| 90+ | 157.18 грн |
| 98+ | 145.58 грн |
| 100+ | 139.02 грн |
| 250+ | 127.38 грн |
| 500+ | 121.07 грн |
| IPB339N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 194.83 грн |
| 12000+ | 178.90 грн |
| 18000+ | 167.33 грн |
| 24000+ | 153.00 грн |
| IPB339N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.65 грн |
| 10+ | 154.39 грн |
| 100+ | 107.48 грн |
| IPB339N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)