Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB339N20NM6ATMA1
IPB339N20NM6ATMA1

IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm.

Інші пропозиції IPB339N20NM6ATMA1 за ціною від 78.98 грн до 342.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+135.17 грн
107+133.08 грн
109+130.89 грн
111+124.21 грн
250+113.14 грн
500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.11 грн
10+150.11 грн
50+115.62 грн
100+98.05 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB339N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+265.35 грн
10+132.04 грн
100+103.85 грн
500+84.10 грн
1000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+308.66 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.93 грн
10+223.66 грн
50+172.24 грн
100+150.10 грн
500+116.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 INFINEON 4148571.pdf Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 INFINEON 4148571.pdf Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+115.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+135.17 грн
107+133.08 грн
109+130.89 грн
111+124.21 грн
250+113.14 грн
500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 Infineon-IPB339N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d326b4a120c7a
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.11 грн
10+150.11 грн
50+115.62 грн
100+98.05 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 Infineon_IPB339N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.35 грн
10+132.04 грн
100+103.85 грн
500+84.10 грн
1000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+308.66 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+310.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 infineon-ipb339n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+342.93 грн
10+223.66 грн
50+172.24 грн
100+150.10 грн
500+116.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 4148571.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 4148571.pdf
IPB339N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB339N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.