IPB35N10S3L26ATMA1

IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+69.83 грн
2000+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB35N10S3L26ATMA1 за ціною від 63.77 грн до 164.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN-3362447.pdf MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.59 грн
10+112.96 грн
25+95.25 грн
100+81.86 грн
500+73.52 грн
1000+65.56 грн
2000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.53 грн
10+105.50 грн
100+80.65 грн
500+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.45 грн
10+126.05 грн
100+90.16 грн
500+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb35n10s3l-26-datasheet-1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.