Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB35N10S3L26ATMA1
IPB35N10S3L26ATMA1

IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+70.01 грн
2000+62.71 грн
3000+60.32 грн
5000+54.08 грн
7000+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB35N10S3L26ATMA1 за ціною від 60.05 грн до 210.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.93 грн
10+130.50 грн
100+78.24 грн
500+64.84 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.13 грн
10+131.18 грн
100+90.44 грн
500+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon_IPB35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+203.93 грн
10+130.50 грн
100+78.24 грн
500+64.84 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.13 грн
10+131.18 грн
100+90.44 грн
500+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
Виробник: Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.