Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB45N06S4L08ATMA3
IPB45N06S4L08ATMA3

IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB45N06S4L08ATMA3 за ціною від 48.36 грн до 154.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB45N06S4L08ATMA3 IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.72 грн
10+95.25 грн
100+64.65 грн
500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 IPB45N06S4L08ATMA3 INFINEON Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I45N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 IPB45N06S4L08ATMA3 INFINEON Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c
IPB45N06S4L08ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.72 грн
10+95.25 грн
100+64.65 грн
500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c
IPB45N06S4L08ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon_IPP_B_I45N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf
IPB45N06S4L08ATMA3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c
IPB45N06S4L08ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.