Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB45P03P4L11ATMA2

IPB45P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon_I45P03P4L_11_DS_v01_00_en-3163189.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	172.52 грн
10+	152.29 грн
100+	106.67 грн
500+	87.55 грн
1000+	72.17 грн
2000+	66.87 грн
5000+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB45P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB45P03P4L11ATMA2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IPB45P03P4L11ATMA2	Виробник : Infineon Technologies	Power MOSFET Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IPB45P03P4L11ATMA2	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.