IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 97.43 грн |
| 2000+ | 91.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB50N10S3L16ATMA1 за ціною від 128.78 грн до 154.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 141.84 грн |
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 154.54 грн |
| 500+ | 139.32 грн |
| 1000+ | 128.78 грн |
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 154.54 грн |
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 154.54 грн |
| 500+ | 139.32 грн |
| 1000+ | 128.78 грн |
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB50N10S3L16ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



