IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+97.43 грн
2000+91.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB50N10S3L16ATMA1 за ціною від 128.78 грн до 154.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+154.54 грн
500+139.32 грн
1000+128.78 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+154.54 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+154.54 грн
500+139.32 грн
1000+128.78 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON 2211652.pdf Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON 2211652.pdf Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+154.54 грн
500+139.32 грн
1000+128.78 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+154.54 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 infineon-ipp_b_i50n10s3l_16-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+154.54 грн
500+139.32 грн
1000+128.78 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 2211652.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 2211652.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.