Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB50R199CPATMA1
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB50R199CP_DS_v02_00_en-1731638.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.94 грн
10+195.25 грн
25+159.98 грн
100+136.58 грн
250+129.04 грн
500+122.25 грн
1000+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB50R199CPATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb50r199cp_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb50r199cp_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d54ba4857 IPB50R199CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d54ba4857 Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.