IPB50R250CP Infineon Technologies
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB50R250CP Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPB50R250CP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB50R250CP | Виробник : infineon |
 07+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPB50R250CP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IPB50R250CP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |