Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB50R299CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 42979921-3
Price: 22113.21 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 65886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
307+	72.03 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB50R299CPATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB50R299CPATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPB50R299CPATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB50R299CPATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Drain current: 12A On-state resistance: 0.299Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB50R299CPATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB50R299CPATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Drain current: 12A On-state resistance: 0.299Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.