Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB600N25N3GATMA1
IPB600N25N3GATMA1

IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+95.14 грн
3000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції IPB600N25N3GATMA1 за ціною від 92.61 грн до 272.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.85 грн
2000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.20 грн
2000+110.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
500+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.24 грн
78+181.98 грн
105+135.78 грн
500+114.56 грн
2000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c Description: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+172.24 грн
50+133.23 грн
100+113.26 грн
500+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c MOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON INFNS17034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+111.85 грн
2000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+112.20 грн
2000+110.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+187.40 грн
500+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.24 грн
78+181.98 грн
105+135.78 грн
500+114.56 грн
2000+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.77 грн
10+172.24 грн
50+133.23 грн
100+113.26 грн
500+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 INFNS17034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.