Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R040C7ATMA1
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies

6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+485.19 грн
28+437.53 грн
29+431.67 грн
100+415.16 грн
250+383.39 грн
500+367.01 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB60R040C7ATMA1 за ціною від 335.57 грн до 902.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+587.76 грн
50+518.33 грн
100+358.30 грн
250+351.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.69 грн
10+516.76 грн
100+387.03 грн
500+335.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R040C7_DS_v02_00_EN-1622423.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+777.26 грн
10+552.32 грн
25+469.74 грн
100+393.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+804.79 грн
5+689.09 грн
10+572.56 грн
50+479.12 грн
100+366.26 грн
250+364.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+845.94 грн
21+587.27 грн
50+553.11 грн
200+527.87 грн
500+435.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+902.80 грн
10+634.05 грн
25+609.70 грн
100+480.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.