Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R040C7ATMA1
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies

6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+639.00 грн
10+572.91 грн
25+570.83 грн
100+548.54 грн
250+506.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції IPB60R040C7ATMA1 за ціною від 422.47 грн до 1058.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+639.00 грн
25+570.83 грн
100+548.54 грн
250+506.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+683.60 грн
100+649.42 грн
500+615.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.61 грн
10+568.47 грн
50+461.05 грн
100+422.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.78 грн
10+678.45 грн
100+609.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1058.78 грн
21+678.45 грн
100+609.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R040C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 IPB60R040C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Infineon Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+639.00 грн
25+570.83 грн
100+548.54 грн
250+506.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+683.60 грн
100+649.42 грн
500+615.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.61 грн
10+568.47 грн
50+461.05 грн
100+422.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1058.78 грн
10+678.45 грн
100+609.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 6infineon-ipb60r040c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1058.78 грн
21+678.45 грн
100+609.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Infineon_IPB60R040C7_DS_v02_00_EN.pdf
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 INFN-S-A0002838017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 INFN-S-A0002838017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R040C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.