Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R040CFD7ATMA1
IPB60R040CFD7ATMA1

IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+244.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB60R040CFD7ATMA1 за ціною від 272.77 грн до 641.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+443.22 грн
50+366.51 грн
100+296.03 грн
250+290.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.36 грн
10+370.63 грн
100+288.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R040CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3362576.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.52 грн
10+417.43 грн
25+362.28 грн
100+276.29 грн
500+274.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.39 грн
5+539.43 грн
10+437.46 грн
50+354.29 грн
100+278.41 грн
250+272.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+443.22 грн
50+366.51 грн
100+296.03 грн
250+290.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+565.36 грн
10+370.63 грн
100+288.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon_IPB60R040CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3362576.pdf
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+594.52 грн
10+417.43 грн
25+362.28 грн
100+276.29 грн
500+274.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R040CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+641.39 грн
5+539.43 грн
10+437.46 грн
50+354.29 грн
100+278.41 грн
250+272.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.