Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R045P7ATMA1

IPB60R045P7ATMA1

Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
Код товару: 162243
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R045P7ATMA1 за ціною від 132.38 грн до 672.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r045p7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.30 грн
10+165.31 грн
25+164.28 грн
100+153.45 грн
250+139.57 грн
500+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r045p7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.30 грн
85+165.31 грн
86+164.28 грн
100+153.45 грн
250+139.57 грн
500+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r045p7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+672.61 грн
32+447.70 грн
100+362.35 грн
500+322.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 infineonipb60r045p7dsv0200en.pdf
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.30 грн
10+165.31 грн
25+164.28 грн
100+153.45 грн
250+139.57 грн
500+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 infineonipb60r045p7dsv0200en.pdf
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+171.30 грн
85+165.31 грн
86+164.28 грн
100+153.45 грн
250+139.57 грн
500+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 infineonipb60r045p7dsv0200en.pdf
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+672.61 грн
32+447.70 грн
100+362.35 грн
500+322.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.