IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 271.94 грн |
| 47+ | 267.54 грн |
| 100+ | 253.83 грн |
| 250+ | 231.18 грн |
| 500+ | 218.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 201W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB60R045P7ATMA1 за ціною від 205.64 грн до 561.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 201W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPB60R045P7ATMA1 Код товару: 162243
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB60R045P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |