IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 411.91 грн |
| 50+ | 367.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 178W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.
Інші пропозиції IPB60R055CFD7ATMA1 за ціною від 203.67 грн до 579.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R055CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB60R055CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB60R055CFD7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB60R055CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPB60R055CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |