IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.62 грн |
| 10+ | 256.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 164W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 67nC, Kind of package: reel.
Інші пропозиції IPB60R060P7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R060P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB60R060P7 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.