Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
Код товару: 208315
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 4 шт:
4 шт - очікується 02.06.2025
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R060P7ATMA1 за ціною від 149.20 грн до 436.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+185.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+271.23 грн
10+230.82 грн
25+195.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+292.09 грн
50+248.58 грн
59+210.35 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+311.13 грн
200+224.54 грн
500+174.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.66 грн
10+262.32 грн
100+190.17 грн
500+173.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+410.77 грн
42+295.26 грн
50+292.82 грн
100+210.99 грн
200+191.00 грн
500+156.87 грн
1000+149.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R060P7_DS_v02_01_EN-3362477.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.00 грн
10+309.65 грн
25+255.28 грн
100+200.84 грн
500+175.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+436.58 грн
10+323.51 грн
50+311.13 грн
200+224.54 грн
500+174.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R060P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R060P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.