Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R060P7ATMA1
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+173.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 164W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB60R060P7ATMA1 за ціною від 158.15 грн до 396.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+188.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+194.17 грн
66+187.62 грн
1000+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+253.10 грн
10+196.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+287.56 грн
200+214.71 грн
500+196.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R060P7_DS_v02_01_EN-3362477.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.14 грн
10+276.68 грн
100+189.63 грн
500+185.88 грн
1000+158.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.58 грн
10+267.25 грн
100+193.74 грн
500+177.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+396.86 грн
10+299.33 грн
50+287.56 грн
200+214.71 грн
500+196.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1
Код товару: 208315
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89680FE3A9654F3D6&compId=IPB60R060P7.pdf?ci_sign=ce2fbf2f237547b81b51c17c17d79d3436fb6d82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.