Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
Код товару: 208315
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R060P7ATMA1 за ціною від 170.53 грн до 527.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.57 грн
3000+170.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R060P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.62 грн
10+256.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.26 грн
10+310.90 грн
50+245.50 грн
100+210.65 грн
500+184.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.02 грн
10+365.94 грн
50+356.38 грн
100+282.43 грн
500+240.94 грн
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.02 грн
39+365.94 грн
50+356.38 грн
100+282.43 грн
500+240.94 грн
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R060P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+182.57 грн
3000+170.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+250.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.62 грн
10+256.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+481.26 грн
10+310.90 грн
50+245.50 грн
100+210.65 грн
500+184.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+527.02 грн
10+365.94 грн
50+356.38 грн
100+282.43 грн
500+240.94 грн
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+527.02 грн
39+365.94 грн
50+356.38 грн
100+282.43 грн
500+240.94 грн
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 Infineon_IPB60R060P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.