Інші пропозиції IPB60R060P7ATMA1 за ціною від 138.45 грн до 425.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V |
на замовлення 10813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IPB60R060P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |