Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
Код товару: 208315
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R060P7ATMA1 за ціною від 171.67 грн до 513.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.89 грн
2000+177.07 грн
3000+171.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.07 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.70 грн
10+243.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.76 грн
10+331.84 грн
100+239.62 грн
500+187.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON 2576638.pdf Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+194.89 грн
2000+177.07 грн
3000+171.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+214.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+298.07 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+313.70 грн
10+243.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b797c047f
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 12679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.76 грн
10+331.84 грн
100+239.62 грн
500+187.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 Infineon-IPB60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 infineon-ipb60r060p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 2576638.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.