Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R070CFD7ATMA1
IPB60R070CFD7ATMA1

IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+192.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB60R070CFD7ATMA1 за ціною від 174.12 грн до 408.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R070CFD7ATMA1 IPB60R070CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R070CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1622486.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.06 грн
10+312.94 грн
100+203.19 грн
500+189.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 IPB60R070CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.97 грн
10+276.28 грн
100+206.77 грн
500+174.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r070cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Power Transistor MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.