Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r080p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+324.83 грн
10+207.62 грн
100+147.75 грн
500+130.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 129W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.

Інші пропозиції IPB60R080P7ATMA1 за ціною від 279.94 грн до 640.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.76 грн
10+567.02 грн
25+543.79 грн
100+441.19 грн
250+390.61 грн
500+328.02 грн
1000+279.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+640.29 грн
25+574.86 грн
100+471.10 грн
500+386.67 грн
1000+318.81 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON 2576639.pdf Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R080P7_DS_v02_01_EN-3362322.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON 2576639.pdf Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 infineon-ipb60r080p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+635.76 грн
10+567.02 грн
25+543.79 грн
100+441.19 грн
250+390.61 грн
500+328.02 грн
1000+279.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 infineon-ipb60r080p7-ds-v02_01-en.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+640.29 грн
25+574.86 грн
100+471.10 грн
500+386.67 грн
1000+318.81 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 2576639.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 Infineon_IPB60R080P7_DS_v02_01_EN-3362322.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 2576639.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.