IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPB60R099C6ATMA1 за ціною від 201.76 грн до 484.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPB60R099C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 259.13 грн |
| 3000+ | 257.17 грн |
| IPB60R099C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 259.45 грн |
| 3000+ | 257.49 грн |
| IPB60R099C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 283.15 грн |
| 51+ | 278.53 грн |
| 100+ | 264.13 грн |
| IPB60R099C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 287.87 грн |
| 10+ | 283.15 грн |
| 25+ | 278.53 грн |
| 100+ | 264.13 грн |
| IPB60R099C6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 484.40 грн |
| 10+ | 314.29 грн |
| 50+ | 248.90 грн |
| 100+ | 213.84 грн |
| 500+ | 201.76 грн |