Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies

IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+180.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB60R099C6ATMA1 за ціною від 195.73 грн до 469.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+259.70 грн
3000+257.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.03 грн
3000+258.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.78 грн
51+279.15 грн
100+264.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.51 грн
10+283.78 грн
25+279.15 грн
100+264.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.86 грн
10+304.91 грн
50+241.46 грн
100+207.44 грн
500+195.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPB60R099C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+259.70 грн
3000+257.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPB60R099C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+260.03 грн
3000+258.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPB60R099C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+283.78 грн
51+279.15 грн
100+264.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPB60R099C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+288.51 грн
10+283.78 грн
25+279.15 грн
100+264.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPB60R099C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.86 грн
10+304.91 грн
50+241.46 грн
100+207.44 грн
500+195.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.