IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+167.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB60R099C7ATMA1 за ціною від 152.48 грн до 435.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.25 грн
10+270.68 грн
100+194.83 грн
500+152.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R099C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.82 грн
10+286.93 грн
100+179.73 грн
500+164.22 грн
1000+153.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 Infineon-IPB60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917abf8885e9d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+420.25 грн
10+270.68 грн
100+194.83 грн
500+152.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 Infineon_IPB60R099C7_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+435.82 грн
10+286.93 грн
100+179.73 грн
500+164.22 грн
1000+153.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.