IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 181.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB60R099C7ATMA1 за ціною від 143.51 грн до 457.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB60R099C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |