Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R099CPAATMA1
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R099CPA-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a304328c6bd5c0128ee28d90159e0&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+394.87 грн
10+263.65 грн
100+259.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 255W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 255W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

Інші пропозиції IPB60R099CPAATMA1 за ціною від 348.45 грн до 516.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+408.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+489.84 грн
38+372.77 грн
50+369.96 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+514.10 грн
41+348.45 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.50 грн
10+350.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R099CPA_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON 2820328.pdf Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON 2820328.pdf Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+408.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+489.84 грн
38+372.77 грн
50+369.96 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+514.10 грн
41+348.45 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+516.50 грн
10+350.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 Infineon_IPB60R099CPA_DS_v02_01_EN.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 2820328.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 2820328.pdf
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.