Продукція > INFINEON > IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1 INFINEON

Name: IPB60R099CPAATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2375045-6
Price: 24546 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPB60R099CPA-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a304328c6bd5c0128ee28d90159e0&ack=t

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	245.46 грн
250+	239.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB60R099CPAATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 255W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB60R099CPAATMA1 за ціною від 232.72 грн до 659.42 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

136129133773650infineon-ipb60r099cpa-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304328c6bd5c0128e.pdf

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
49+	249.55 грн
50+	245.48 грн
100+	232.72 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	292.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	314.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	319.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	321.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	380.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
31+	394.50 грн
32+	393.48 грн
50+	387.38 грн
100+	372.57 грн
200+	344.06 грн
500+	316.35 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	408.25 грн
10+	272.59 грн
100+	268.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	429.15 грн
5+	363.95 грн
10+	297.93 грн
50+	271.28 грн
100+	245.46 грн
250+	239.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	449.61 грн
36+	347.37 грн
100+	314.99 грн
500+	294.11 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPB60R099CPA_DS_v02_01_EN-1731694.pdf

MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	502.96 грн
10+	387.48 грн
25+	321.49 грн
100+	274.41 грн
250+	268.52 грн
500+	267.79 грн
1000+	267.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	634.69 грн
10+	433.66 грн
100+	327.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	659.42 грн
10+	450.55 грн
100+	332.27 грн
500+	288.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB60R099CPAATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.