Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R099CPATMA1
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+213.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 255W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.

Інші пропозиції IPB60R099CPATMA1 за ціною від 235.75 грн до 753.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+350.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+350.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.79 грн
10+403.80 грн
25+358.91 грн
100+318.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.79 грн
36+403.80 грн
40+358.91 грн
100+318.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.31 грн
10+353.29 грн
50+281.45 грн
100+242.47 грн
500+235.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+752.38 грн
10+508.38 грн
50+422.22 грн
100+363.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+753.34 грн
28+509.03 грн
50+422.76 грн
100+363.63 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb60r099cp_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+350.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+350.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+477.79 грн
10+403.80 грн
25+358.91 грн
100+318.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+477.79 грн
36+403.80 грн
40+358.91 грн
100+318.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+541.31 грн
10+353.29 грн
50+281.45 грн
100+242.47 грн
500+235.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+752.38 грн
10+508.38 грн
50+422.22 грн
100+363.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineonipb60r099cpdsv0201en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+753.34 грн
28+509.03 грн
50+422.76 грн
100+363.63 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 infineon_ipb60r099cp_ds_en.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.