Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R099CPATMA1
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+250.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB60R099CPATMA1 за ціною від 226.40 грн до 572.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+270.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+275.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+309.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+366.37 грн
50+327.20 грн
100+289.33 грн
250+277.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+498.31 грн
33+376.67 грн
34+367.99 грн
100+296.63 грн
250+271.98 грн
500+258.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+523.62 грн
10+374.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+538.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R099CP_DS_v02_01_EN-3362206.pdf MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.98 грн
10+425.37 грн
25+333.19 грн
100+272.28 грн
500+242.19 грн
1000+241.46 грн
2000+240.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.40 грн
10+374.45 грн
100+274.19 грн
500+226.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b IPB60R099CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.