на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.89 грн |
| 10+ | 262.04 грн |
| 25+ | 202.46 грн |
| 100+ | 171.98 грн |
| 250+ | 161.82 грн |
| 500+ | 142.96 грн |
| 1000+ | 133.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R105CFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 106W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB60R105CFD7ATMA1 за ціною від 134.23 грн до 482.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R105CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB60R105CFD7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB60R105CFD7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IPB60R105CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP002621134 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
IPB60R105CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPB60R105CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |