Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R120P7ATMA1
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a901853048b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB60R120P7ATMA1 за ціною від 89.54 грн до 229.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+98.94 грн
2000+97.93 грн
5000+97.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+106.73 грн
2000+105.64 грн
5000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.43 грн
500+100.15 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+169.39 грн
75+164.32 грн
100+161.27 грн
2000+139.86 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.12 грн
10+160.54 грн
100+128.43 грн
500+100.15 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a901853048b Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.27 грн
10+151.52 грн
100+115.93 грн
500+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R120P7_DS_v02_01_EN-3362577.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.47 грн
10+178.93 грн
25+143.11 грн
100+120.36 грн
250+115.22 грн
500+102.75 грн
1000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.