Продукція > INFINEON > IPB60R125CPATMA1
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 INFINEON

INFNS16655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.00 грн
10+198.41 грн
100+191.00 грн
500+171.25 грн
1000+155.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R125CPATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB60R125CPATMA1 за ціною від 178.05 грн до 414.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp04cn10n_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+230.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp04cn10n_rev1.2.pdf IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+249.00 грн
2000+236.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp04cn10n_rev1.2.pdf IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+250.58 грн
2000+237.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.41 грн
10+267.27 грн
100+192.45 грн
500+178.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1
Код товару: 172460
Додати до обраних Обраний товар

IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R125CP_DS_v01_01_EN-3362232.pdf MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.