Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba
Код товару: 172460
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB60R125CPATMA1 за ціною від 167.97 грн до 388.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+176.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+176.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+270.44 грн
500+256.39 грн
1000+242.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+270.44 грн
500+256.39 грн
1000+242.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.71 грн
10+250.46 грн
100+180.38 грн
500+167.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 INFINEON INFNS16655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf
IPB60R125CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+176.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf
IPB60R125CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+176.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf
IPB60R125CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+270.44 грн
500+256.39 грн
1000+242.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 infineon-ipb60r125cp-ds-v01_01-en.pdf
IPB60R125CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+270.44 грн
500+256.39 грн
1000+242.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba
IPB60R125CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+388.71 грн
10+250.46 грн
100+180.38 грн
500+167.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CPATMA1 INFNS16655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R125CPATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.