Продукція > INFINEON > IPB60R145CFD7ATMA1
IPB60R145CFD7ATMA1

IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.97 грн
500+94.49 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB60R145CFD7ATMA1 за ціною від 73.96 грн до 275.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009358456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.69 грн
10+140.83 грн
100+113.97 грн
500+94.49 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2979db419c7 Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.33 грн
10+169.32 грн
100+123.65 грн
500+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R145CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1622487.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.15 грн
10+186.93 грн
100+119.01 грн
500+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb60r145cfd7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb60r145cfd7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 IPB60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2979db419c7 Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.