Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R160C6ATMA1
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies

IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB60R160C6ATMA1 за ціною від 113.30 грн до 296.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+147.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+148.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35 Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.84 грн
10+187.98 грн
100+132.58 грн
500+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R160C6_DS_v02_03_EN-1731782.pdf MOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.