Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R160C6ATMA1
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies

IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB60R160C6ATMA1 за ціною від 108.38 грн до 283.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35 Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
10+179.84 грн
100+126.83 грн
500+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPB60R160C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+170.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 2349281056066923infineon-ipw60r160c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a304323b87bc20123f0.pdf
IPB60R160C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+185.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123ffdae47e5c35
IPB60R160C6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
10+179.84 грн
100+126.83 грн
500+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.